THONGTIN Thông tin thiết bị số và công nghệ ngày 07-08-2013

[Radium]

Card đồ họa cao cấp với kiến trúc mới của AMD lộ diện​

Trước thềm ra mắt, chiếc card đồ họa cao cấp Radeon HD 9970 của AMD tiếp tục lộ diện. Theo những thông tin rò rỉ, Radeon HD 9970 sẽ sử dụng kiến trúc GPU Volcanic Islands 20 nm có tên mã Hawaii. Kiến trúc này hứa hẹn sẽ có sự cải tiến hiệu năng đáng kể so với GCN Southern Island.

Chiếc card sẽ cho tốc độ 1 GHz, 4 GB bộ nhớ tốc độ 5 GHz trên nền bus 512-bit. Các thông số khác gồm băng thông bộ nhớ 307GB/s, 4096 SP, 256 TMP. Nếu như các thông số rò rỉ là chính xác, thì so với Titan và GTX 780, 9970 là một sản phẩm rất đáng chờ đợi từ AMD. Một số tin đồn gần đây cũng cho biết AMD đã chuyển các sản phẩm mẫu của Radeon HD 9970 tới tay các nhà sản xuất đối tác. 9970 cùng với các sản phẩm khác thuộc dòng Radeon HD 9000 Series hứa hẹn sẽ ra mắt vào tháng Mười tới đây.

Theo Genk​

 

[Radium]

Bộ nhớ RRAM hứa hẹn tạo sự đột phá trong công nghệ bộ nhớ
​

Khi mà các nhà sản xuất bộ nhớ flash NAND luôn tự hào về các tiến trình công nghệ mới, thì hãng Crossbar mới đây lại giới thiệu một công nghệ mới hứa hẹn sẽ tạo nên sự đột biến trong công nghệ bộ nhớ. Crossbar cho biết họ đang phát triển loại bộ nhớ có tên Resistive RAM (RRAM). So với các chip flash NAND, bộ nhớ của Crossbar rất nhỏ gọn với kích thước chỉ bằng 1 nửa. Đồng thời, RRAM cho tốc độ ghi dữ liệu cao hơn 20 lần (có thể lên tới 140 MB/giây), trong khi tốc độ đọc dữ liệu đạt 17 MB/giây. Chưa hết, chúng còn tiết kiệm điện hơn, tiêu thụ điện ít hơn 20 lần so với chip NAND. Bộ nhớ này cũng bền hơn 10 lần so với bộ nhớ mà chúng ta đang dùng hiện nay.

RRAM là loại bộ nhớ "không bay hơi" (non-volatile) có nghĩa là nó có khả năng lưu trữ dữ liệu ngay cả khi nguồn điện bị ngắt. Ngoài ra, cấu trúc chồng cell kiểu 3D cho phép Crossbar dễ dàng tăng dung lượng của bộ nhớ lên mà không phải tăng kích thước vật lý của chip. Một con chip kích thước 200 x 200mm có thể cho dung lượng lên tới 1 terabyte. Chi phí để sản xuất loại bộ nhớ này cũng không quá đắt bởi chúng không cần tới các loại vật liệu mới mà có thể dùng luôn các loại vật liệu để sản xuất bộ nhớ hiện nay. Thậm chí, chi phí sản xuất RRAM còn rẻ hơn so với chi phí để tạo nên bộ nhớ flash NAND hiện tại.

Ngoài việc tự sản xuất chip nhớ thì Crossbar cho biết họ cũng sẽ cấp phép bản quyền để các bên thứ 3 có thể cùng bắt tay sản xuất và phổ biến RRAM. Dự kiến công nghệ này sẽ phải mất từ 2 đến 3 năm để có mặt trên các thiết bị công nghệ như smartphone hay tablet. Tuy nhiên, quá trình này có thể được rút ngắn lại hoặc kéo dài thêm tùy vào nhu cầu thị trường.

Theo GenK​

 

[Radium]

Laptop dùng năng lượng mặt trời siêu độc đáo​

Với người dùng máy tính, đặc biệt là laptop, ánh nắng mặt trời quả là một yếu tố ngoại cảnh không bao giờ được coi là phù hợp cho việc sử dụng. Ánh sáng sẽ khiến cho màn hình máy dễ dàng bị lóa, khó quan sát. Đó là chưa kể tới việc trời nắng sẽ khiến cho các linh kiện bên trong tản nhiệt khó khăn và làm laptop mau chóng nóng lên.

Thế nhưng công ty WeWi Telecommunications ở Canada lại có một cách nghĩ khác lạ. Họ muốn tận dụng ánh nắng để tạo ra năng lượng cho chiếc laptop Sol. Sol được phát triển chủ yếu cho các nước đang phát triển và thường hay gặp cảnh cúp điện hay những nơi không có điện nhưng lại thừa ánh nắng. Máy được trang bị các tấm pin năng lượng mặt trời có khả năng hấp thụ ánh nắng khi được mở ra. WeWi Telecommunications cho biết các tấm pin này chỉ mất 2 tiếng để sạc đầy và sau đó cung cấp cho người dùng thời lượng pin 10 tiếng sử dụng.

Thông tin chi tiết về cấu hình của Sol sẽ chỉ được công bố trong vài ngày tới. Hiện chúng ta chỉ được biết rằng máy dùng chip Intel, hỗ trợ WiFi, màn hình HD, chạy HĐH Ubuntu. Máy sẽ được bán ra đầu tiên ở Ghana, châu Phi, với giá khởi điểm được dự đoán rơi vào khoảng 300 USD.

Theo GenK​

 

[Radium]

Samsung sản xuất bộ nhớ flash 3D​

Samsung mới đây vừa công bố một bước tiến mới trong công nghệ sản xuất bộ nhớ flash của họ. Hãng công nghệ Hàn Quốc cho biết họ bắt đầu sản xuất đại trà dòng "bộ nhớ flash NAND 3D dọc", hay viết tắt là V-NAND. Sự đột phá của công nghệ này là các thành phần của chip nhớ không còn được bố trí theo cấu trúc 2 chiều như trước nữa mà Samsung đã chồng dọc các cell nhớ, nhờ công nghệ Charge Trap Flash. Nhờ công nghệ mới của Samsung, các chip nhớ có thể chứa 24 lớp cell được xếp chồng, giúp tăng dung lượng bộ nhớ dễ dàng.

Cấu trúc này giúp cho bộ nhớ flash có độ ổn định và tốc độ (hiệu năng) cao hơn. Samsung cho biết thế hệ bộ nhớ V-NAND đầu tiên sẽ cho độ ổn định cao hơn từ 2 đến 10 lần, còn tốc độ ghi dữ liệu sẽ cao hơn 2 lần so với các bộ nhớ flash hiện nay của họ (được sản xuất trên tiến trình công nghệ 10 nm).

Theo GenK​